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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設(shè)計
利用MOS場效應(yīng)管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術(shù)，設(shè)計出一種寬頻帶高功率射頻脈沖功率放大器模塊，其輸出脈沖功率達1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調(diào)試及實用結(jié)果表明，該放大器工作穩(wěn)定，性能可靠。
2008-10-13
MOS場效應(yīng)管 AB類功率放大 推挽 傳輸線變壓器 寬頻帶
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超高頻無源RFID標(biāo)簽的一些關(guān)鍵電路的設(shè)計
本文針對超高頻無源RFID 標(biāo)簽芯片的設(shè)計，給出了一些關(guān)鍵電路的設(shè)計考慮。文章介紹了四種電源恢復(fù)電路結(jié)構(gòu)，以及倍壓電路的解決方案，提出了串聯(lián)型和并聯(lián)型兩種穩(wěn)壓電路。文章提出了新的泄流源的設(shè)計，介紹了啟動信號產(chǎn)生電路的設(shè)計考慮。
2008-10-13
RFID 標(biāo)簽 恢復(fù) 穩(wěn)壓 調(diào)制 解調(diào)
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W波段雪崩管窄脈沖調(diào)制器的研究
脈沖調(diào)制器是脈沖體制發(fā)射機中重要的組成部分。設(shè)計了一種體積小、脈沖驅(qū)動電流大的窄脈沖調(diào)制器，可用于驅(qū)動W波段主被動復(fù)合探測器中的雪崩二極管振蕩器，對脈沖體制的毫米波雷達等的發(fā)射機也有重要應(yīng)用意義。實驗結(jié)果表明，該調(diào)制器是可行的。
2008-10-13
雪崩二極管 脈沖調(diào)制器 電路設(shè)計
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電子式電能表絕緣性能對EMC抗擾度試驗的影響與改進
本文討論電子式電能表的絕緣性能對EMC抗擾度試驗的影響及改進措施。通過增大間隙或爬電距離能使電能表的絕緣性能符合要求，從而能夠通過EMC抗擾度試驗，而增加的成本最低。優(yōu)化后的試驗流程為優(yōu)先通過6kV的脈沖電壓試驗，然后進行各項EMC抗擾度試驗，可以達到事半功倍的效果。
2008-10-12
電子式電能表 絕緣性能 EMC 爬電距離
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電力電子中的傳導(dǎo)性ＥＭＩ噪聲源測量與分析
電力電子設(shè)備由于電磁兼容性能差而影響了其廣泛應(yīng)用，因此提高EMC性能，降低電磁干擾就顯得十分重要，而其中EMI傳導(dǎo)噪聲濾波是有效方法之一，特別是EMI噪聲源的測定與分析是設(shè)計EMI濾波器的前提條件，本文詳細分析了電力電子設(shè)備中傳導(dǎo)電磁干擾噪聲產(chǎn)生的機理，然后分析討論了幾種主要EMI噪聲源建模...
2008-10-12
ＥＭＩ 電力電子 噪聲
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電磁兼容EMC中的屏蔽技術(shù)分析
電磁場的屏蔽可分為靜電屏蔽、靜磁屏蔽和電磁屏蔽三種情況。本文描述了靜電屏蔽、靜磁屏蔽、電磁屏蔽的物理內(nèi)容、物理條件、屏蔽作用等以及它們之間的聯(lián)系。
2008-10-12
靜電 屏蔽 靜磁 電磁
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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
本文通過分析RF功率 LDMOSFET的性能和結(jié)構(gòu)特征，設(shè)計出RF 功率 LDMOSFET器件結(jié)構(gòu)，通過工藝和器件模擬確定了關(guān)鍵參數(shù)，并設(shè)計了一套符合6寸芯片生產(chǎn)線的制造工藝流程，對工藝中的難點提出了解決方案。
2008-10-12
RF MOSFET 性能 工藝
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運放式射頻放大器
本文詳細介紹了放大器的基本拓撲和參數(shù)，如果價格可以接受的話，運放，特別是CFB運放非常適合射頻設(shè)計。
2008-10-12
運放 射頻 CFB
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電流型熱電偶溫度變送器的設(shè)計
在化工、石油、電力、冶煉等行業(yè)的自動化控制系統(tǒng)中熱電偶發(fā)揮著對溫度的監(jiān)控作用。本文主要開發(fā)設(shè)計出一套具有較高精度和穩(wěn)定性的實用性K型熱電偶溫度變送器。
2008-10-11
熱電偶 溫度變送器 溫度補償
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