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碳化硅功率晶體的設計發(fā)展及驅動電壓限制
傳統(tǒng)上在高壓功率晶體的設計中，采用硅材料的功率晶體要達到低通態(tài)電阻，必須采用超級結技術（superjunction），利用電荷補償?shù)姆绞绞估诰樱‥pitaxial layer）內的垂直電場分布均勻，有效減少磊晶層厚度及其造成的通態(tài)電阻。
2021-10-25
碳化硅功率晶體 驅動電壓
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貿澤電子贊助2021年安森美電源在線研討會
2021年10月21日 – 專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 很榮幸能成為2021年安森美電源在線研討會的贊助商。本次研討會將從10月29日至11月26日進行電源在線直播，5場技術演講將從功率因數(shù)、建模、仿真、驗證、LLC諧振、同步整流等不同方面深入探討如何優(yōu)化電...
2021-10-22
貿澤電子 安森美 電源
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如何通過能量收集技術延長無線傳感器節(jié)點的電池續(xù)航？
無線傳感器節(jié)點正越來越多地應用于我們的日常生活中，因為它們適合在多種多樣以及難以到達的環(huán)境中使用。它們不需要接通電源，因為它們通常都連接到電池。
2021-10-20
無線傳感器 電池續(xù)航
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電源適配器噪聲產生原因及解決措施
傳導干擾主要評估輸入和輸出線上流過的干擾噪聲。待測試的設備EUT通過阻抗匹配網(wǎng)絡LISN 連接到干凈的交流電源上。
2021-10-20
電源適配器 噪聲
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650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產器件重載時溫度更低
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2021-10-20
SiC MOSFET高 PoE 智能樓宇 國產器件
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應對一致性測試特定挑戰(zhàn)，需要可靠的PCIe 5.0 發(fā)射機驗證
由于 5G 和IoT互聯(lián)設備及相關高帶寬要求預計將大幅度攀升，所以數(shù)據(jù)中心運營商需要遷移到帶寬更高的網(wǎng)絡，其中的帶寬要超過當前通常使用的100 GB 以太網(wǎng) (100GE)。 遷移到下一代 400GE 網(wǎng)絡要求更快速的內存和更高速的串行總線通信。除了把以太網(wǎng)接口升級到 400GE，服務器還需要采用速度更高的串行...
2021-10-20
PCIe 發(fā)射機 5G IoT 互聯(lián)設備
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從玻璃貼膜到測試測量，都離不開的雙端口雙極性電源~
臺式電源(PS)往往有偶數(shù)個端口（忽略機箱端口）：一個正端口和一個負端口。使用臺式電源產生正極性輸出很容易：將負輸出設置為GND，將正輸出電壓設置為正輸出。產生負電源同樣容易，只需將上述設置反轉。
2021-10-20
玻璃貼膜 測試測量 雙極性電源
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原邊與副邊調節(jié)
反激式電源變換器是目前最常見的變換器拓撲之一。 其優(yōu)勢在于簡單的設計和極具競爭力的尺寸/成本/效率比，尤其是在中等功率范圍（2W 至 100W）應用中。
2021-10-20
原邊 副邊調節(jié) 反激式電源變換器
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埃莎挑戰(zhàn)焊接極限，NEPCON ASIA 2021等您來看！
伴隨著中國電子制造產業(yè)的升級， 中國制造正沿著高品質，高彈性，多樣化和綠色低碳的方向不斷發(fā)展，這就對電子裝配中的重要環(huán)節(jié)--PCB焊接提出了越來越高的要求，如何從觀念，設計，執(zhí)行和衡量等多方面契合這樣的發(fā)展趨勢是對每一個設備供應商的挑戰(zhàn)?。
2021-10-18
埃莎 焊接
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