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SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓？
現(xiàn)代工業(yè)對電力電子設備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點就是價格。
2021-12-07
SiC MOSFET 單電源正電壓 Si MOSFET
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一舉三得：直接用碳化硅器件，可節(jié)能、提高功率轉換效率、減少設計尺寸
更高的效率無疑是一個優(yōu)勢，但是有時候“更高”的陳述是不準確的，比如：家庭電子器件散發(fā)“更高”的熱量可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，也許會帶來能量使用和成本方面的整體好處，還可以采用效率相對低效的鍋爐。如果用“更高”來描述白熾燈，它可以在您需要溫暖時成為非常高效的加熱器。
2021-11-30
碳化硅器件
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連接SPI接口器件 - 第一部分
LEC2 Workbench系列技術博文主要關注萊迪思產(chǎn)品的應用開發(fā)問題。這些文章由萊迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA設計專家撰寫。LEC2是專門針對萊迪思屢獲殊榮的低功耗FPGA和解決方案集合的全球官方培訓服務供應商。
2021-11-29
SPI接口器件
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重負載時中開關元件工作相關的注意事項
在重負載時，如果MOSFET的體二極管的反向恢復時間trr較長，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關斷時，寄生雙極晶體管可能會誤導通，從而損壞MOSFET。這種問題發(fā)生在由關斷時產(chǎn)生的對漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導通（誤導通）、瞬間流過大電流時。
2021-11-29
重負載 開關元件 注意事項
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如何使用數(shù)字信號控制器構建更好的汽車和電動汽車系統(tǒng)
傳統(tǒng)的汽車和電動汽車系統(tǒng)都依賴于無數(shù)電子設備的有效運行，以實現(xiàn)便利功能以及關鍵任務功能安全功能。雖然提出了各種各樣的要求，但這些不同的應用從根本上要求能夠在極端條件下運行，同時提供可靠、高性能的實時響應。
2021-11-26
數(shù)字信號控制器 汽車系統(tǒng) 電動汽車系統(tǒng)
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高壓放大器在交變電場空間電荷測量研究中的應用
交變高壓源為試樣材料提供測試所需的高壓電場環(huán)境。高壓源有兩種實現(xiàn)方式，一是直接選用高壓發(fā)生設備，二是采用高壓放大器，需要信號發(fā)生器輸入一個幅值較低的控制信號，放大器將控制信號放大后輸出。在交變電場空間電荷的測量中，需要協(xié)調交變高壓和脈沖源輸出在時序上的先后關系，測量特定相位點...
2021-11-26
高壓放大器 交變電場空間 電荷測量
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總線隔離方案之儲能行業(yè)篇
眾所周知，實現(xiàn)“碳中和”的關鍵在于轉換能源結構，提升非化石能源的發(fā)電比例，因此新能源與儲能成為重要發(fā)展方向，ZLG致遠電子基于二十年開關電源與總線隔離技術，推出成熟的儲能電池BMS系統(tǒng)解決方案。
2021-11-26
總線隔離 方案 儲能
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IGBT7與IGBT4在伺服驅動器中的對比測試
IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術平臺，它與IGBT4的性能對比一直是工程師關心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺伺服驅動中的測試，得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結溫對比。實驗結果表明，在連續(xù)大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中，IGBT7的結溫均低于IGBT4。
2021-11-26
IGBT7 伺服驅動器 對比測試
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如何在不破壞背板數(shù)據(jù)轉換的情況下把I/O卡插入帶電的背板上呢？
隨著服務器系統(tǒng)的增長，包含控制電路以用來監(jiān)視服務器的輸入/輸出(I/O)卡數(shù)量和復雜程度也同比增長。零停機時間系統(tǒng)要求用戶將I/O卡插入帶電的背板。雖然許多IC供應商已經(jīng)開發(fā)出能夠安全對電源和地線進行熱插拔(Hot SwapTM)的芯片，但是迄今為止，仍沒有一個能在I2CTM和SMBus系統(tǒng)中實現(xiàn)系統(tǒng)數(shù)據(jù)(SDA...
2021-11-24
背板數(shù)據(jù)轉換 I/O卡
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