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優(yōu)化開關(guān)模式電源的 EMI 輸入濾波器
任何開關(guān)模式電源 (SMPS)都需要EMI（電磁干擾）輸入濾波器，以避免對(duì)電源線造成干擾，以及對(duì)連接到電源線的其他組件或系統(tǒng)產(chǎn)生干擾。因此，設(shè)計(jì)和優(yōu)化輸入濾波器是 SMPS 開發(fā)的一項(xiàng)重要任務(wù)。雖然必須添加共模和差模噪聲濾波器元件，但很少單獨(dú)優(yōu)化它們。特別是對(duì)于高功率應(yīng)用，這可能會(huì)導(dǎo)致 EMI 濾...
2024-03-13
開關(guān)模式電源 EMI 濾波器
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事關(guān)電機(jī)！科力爾等電機(jī)大佬在兩會(huì)提出建議
電機(jī)行業(yè)，作為工業(yè)經(jīng)濟(jì)的根基和國(guó)家競(jìng)爭(zhēng)力的象征，每年在全國(guó)兩會(huì)上都會(huì)引發(fā)廣泛的關(guān)注。行業(yè)巨頭們匯聚一堂，獻(xiàn)策獻(xiàn)力，旨在為中國(guó)電機(jī)行業(yè)的騰飛描繪更加宏偉的藍(lán)圖。
2024-03-13
科力爾 電機(jī)
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Arm Flexible Access新政釋放邊緣AI創(chuàng)新空間，邊緣AI芯片創(chuàng)新再提速
近期，Arm技術(shù)授權(quán)訂閱模式中的Arm Flexible Access完成了擴(kuò)容升級(jí)。此次更新圍繞產(chǎn)品組合拓展、適用范圍擴(kuò)大、加入流程簡(jiǎn)化三個(gè)方向展開，旨在降低芯片開發(fā)復(fù)雜度，為初創(chuàng)企業(yè)及成熟設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)釋放更多邊緣AI創(chuàng)新空間。
2024-03-12
Arm技術(shù)
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Arm Flexible Access方案新增三款新品賦能邊緣AI全場(chǎng)景，從智能手表到工業(yè)IoT
邊緣AI正在從概念走向落地，但端側(cè)設(shè)備的算力、功耗、成本約束始終是方案商需要平衡的難題。近日，Arm技術(shù)授權(quán)訂閱模式中的Arm Flexible Access 方案完成了產(chǎn)品組合擴(kuò)容，新增的三款產(chǎn)品均圍繞邊緣AI場(chǎng)景設(shè)計(jì)，為智能硬件方案商提供了新的技術(shù)選項(xiàng)。
2024-03-12
邊緣AI
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如何測(cè)量功率回路中的雜散電感
影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測(cè)試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。
2024-03-12
功率回路 電感
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。之前我們討論過(guò)功率MOSFET的雪崩效應(yīng)，今天，我們將繼續(xù)分享相...
2024-03-12
功率MOSFET UIS
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優(yōu)化大功率直流充電樁設(shè)計(jì)
充電時(shí)間是消費(fèi)者和企業(yè)評(píng)估購(gòu)買電動(dòng)汽車 (EV)的一個(gè)主要考慮因素。為了縮短充電時(shí)間，業(yè)界正轉(zhuǎn)向采用直流充電樁 (DCFC) 。DCFC 繞過(guò)電動(dòng)汽車的車載充電器，直接向電池提供更高的功率，從而大大縮短充電時(shí)間。
2024-03-12
直流充電樁
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