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熱電偶的測(cè)溫原理
熱電偶的測(cè)溫原理是基于熱電效應(yīng)。在兩種不同材料的導(dǎo)體或半導(dǎo)體A和B組成的閉合可路中，如果兩個(gè)導(dǎo)體A和B的連接點(diǎn)溫度不同，設(shè)T>T，則回路中會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電動(dòng)勢(shì)，即生此閉合回路中有電流產(chǎn)生，這種現(xiàn)象稱為熱電效應(yīng)。
2024-10-20
熱電偶 測(cè)溫
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【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室】 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開(kāi)關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場(chǎng)的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長(zhǎng)期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費(fèi)電子領(lǐng)域內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)價(jià)格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們?cè)诟鼜V泛市場(chǎng)應(yīng)用中的潛力。
2024-10-20
泰克 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體 氮化鎵 功率器件
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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：變壓器
變壓器只適用于交流電(AC)。例如，變壓器會(huì)通過(guò)將電壓降低到更合適的電平來(lái)降低120V壁式功率，對(duì)于大多數(shù)消費(fèi)電子產(chǎn)品，降至僅幾伏；對(duì)于其他低功耗應(yīng)用，通常降至12V。變壓器還可以升高電壓以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)距離傳輸，并降低電壓以實(shí)現(xiàn)安全配電。如果沒(méi)有變壓器，配電網(wǎng)絡(luò)中已經(jīng)很嚴(yán)重的電力浪費(fèi)將大到驚人...
2024-10-19
變壓器 電平
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意法半導(dǎo)體推出STM32微處理器專用高集成度電源管理芯片
意法半導(dǎo)體 STM32MP2 微處理器配套電源管理芯片STPMIC25 現(xiàn)已上市。新產(chǎn)品在一個(gè)便捷封裝內(nèi)配備 16 個(gè)輸出通道，可為MPU的所有電源軌以及系統(tǒng)外設(shè)供電，完成硬件設(shè)計(jì)僅需要少量的外部濾波和穩(wěn)定功能組件。評(píng)估板STEVAL-PMIC25V1現(xiàn)已上市，開(kāi)發(fā)者可立即開(kāi)始開(kāi)發(fā)應(yīng)用。
2024-10-18
意法半導(dǎo)體 STM32 微處理器 電源管理芯片
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賽果公布！灣芯展·“芯火”殿堂·精“芯”榜創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽頒獎(jiǎng)典禮圓滿落幕
項(xiàng)目以獨(dú)有的射頻數(shù)字化技術(shù)平臺(tái)（RDP?）為基礎(chǔ)，面向能源無(wú)線、工業(yè)無(wú)線、星閃無(wú)線、衛(wèi)星互聯(lián)等領(lǐng)域研發(fā)業(yè)界性能領(lǐng)先的無(wú)線通信芯片。
2024-10-18
灣芯展
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第6講：SiC單晶生長(zhǎng)技術(shù)
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長(zhǎng)方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長(zhǎng)方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-10-18
SiC 單晶 生長(zhǎng)技術(shù)
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MSO 4B 示波器為工程師帶來(lái)更多臺(tái)式功率分析工具
持續(xù)測(cè)量 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的性能可能是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的任務(wù)。隨著設(shè)計(jì)師努力從硅基電源轉(zhuǎn)換器過(guò)渡到碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體，這些挑戰(zhàn)變得尤為棘手。電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等三相系統(tǒng)的設(shè)計(jì)師面臨更多復(fù)雜問(wèn)題。
2024-10-18
MSO 示波器 功率分析 泰克
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